Lücke
Galliumphosphid (GaP)-Kristall ist ein infrarotoptisches Material mit guter Oberflächenhärte, hoher Wärmeleitfähigkeit und Breitbandübertragung.Aufgrund seiner hervorragenden umfassenden optischen, mechanischen und thermischen Eigenschaften können GaP-Kristalle im militärischen und anderen kommerziellen Hightech-Bereich eingesetzt werden.
| Grundeigenschaften | |
| Kristallstruktur | Zinkblende |
| Symmetriegruppe | Td2-F43m |
| Anzahl der Atome in 1 cm3 | 4,94·1022 |
| Auger-Rekombinationskoeffizient | 10-30cm6/s |
| Debye-Temperatur | 445K |
| Dichte | 4,14 gcm-3 |
| Dielektrizitätskonstante (statisch) | 11.1 |
| Dielektrizitätskonstante (Hochfrequenz) | 9.11 |
| Effektive Elektronenmasseml | 1.12mo |
| Effektive Elektronenmassemt | 0,22mo |
| Effektive Lochmassenmh | 0.79mo |
| Effektive Lochmassenmlp | 0,14mo |
| Elektronenaffinität | 3,8 eV |
| Gitterkonstante | 5.4505 A |
| Optische Phononenenergie | 0,051 |
| technische Parameter | |
| Dicke jeder Komponente | 0,002 und 3 +/-10 %mm |
| Orientierung | 110 - 110 |
| Oberflächenqualität | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| Ebenheit | Wellen bei 633 nm – 1 |
| Parallelität | Bogenmin < 3 |
