KD * P EO Q-Switch


  • 1/4 Wellenspannung: 3,3 kV
  • Fehler an der übertragenen Wellenfront: <1/8 Welle
  • ICR: > 2000: 1
  • Videorecorder: > 1500: 1
  • Kapazität: 6 pF
  • Schadensschwelle: > 500 MW / cm² bei 1064 nm, 10 ns
  • Produktdetail

    technische Parameter

    Der EO Q-Schalter ändert den Polarisationszustand des durch ihn hindurchtretenden Lichts, wenn eine angelegte Spannung Doppelbrechungsänderungen in einem elektrooptischen Kristall wie KD * P induziert. In Verbindung mit Polarisatoren können diese Zellen als optische Schalter oder Laser-Q-Schalter fungieren.
    Wir bieten EO Q-Schalter an, die auf fortschrittlicher Kristallherstellung und Beschichtungstechnologie basieren. Wir können eine Vielzahl von EO Q-Schaltern mit Laserwellenlängen anbieten, die eine hohe Transmission (T> 97%), eine hohe Schadensschwelle (> 500 W / cm2) und ein hohes Extinktionsverhältnis aufweisen (> 1000: 1).
    Anwendungen:
    • OEM-Lasersysteme
    • Medizinische / kosmetische Laser
    • Vielseitige F & E-Laserplattformen
    • Militär- und Luftfahrtlasersysteme

    Eigenschaften Leistungen
    CCI-Qualität - preisgünstig Außergewöhnlicher Wert

    Feinste spannungsfreie KD * P.

    Hohes Kontrastverhältnis
    Hohe Schadensschwelle
    Niedrige 1/2-Wellenspannung
    Platzsparend Ideal für kompakte Laser
    Keramische Öffnungen Sauber und sehr schadensresistent
    Hohes Kontrastverhältnis Außergewöhnliche Verzögerung
    Schnelle elektrische Anschlüsse Effiziente / zuverlässige Installation
    Ultraflache Kristalle Hervorragende Strahlausbreitung
    1/4 Wellenspannung 3,3 kV
    Fehler der übertragenen Wellenfront <1/8 Welle
    ICR > 2000: 1
    Videorecorder > 1500: 1
    Kapazität 6 pF
    Schadensschwelle > 500 MW / cm2 @ 1064 nm, 10 ns