KD*P EO Q-Schalter


  • 1/4 Wellenspannung:3,3 kV
  • Übertragener Wellenfrontfehler: < 1/8 Welle
  • ICR:>2000:1
  • Videorecorder:>1500:1
  • Kapazität:6 pF
  • Schadensschwelle:> 500 MW / cm2 bei 1064 nm, 10 ns
  • Produktdetail

    technische Parameter

    EO Q Switch ändert den Polarisationszustand des Lichts, das durch ihn hindurchgeht, wenn eine angelegte Spannung Doppelbrechungsänderungen in einem elektrooptischen Kristall wie KD*P induziert.Bei Verwendung in Verbindung mit Polarisatoren können diese Zellen als optische Schalter oder Laser-Q-Switches fungieren.
    Wir bieten EO-Q-Schalter basierend auf fortschrittlicher Kristallherstellungs- und Beschichtungstechnologie an. Wir können eine Vielzahl von EO-Q-Schaltern mit Laserwellenlängen anbieten, die eine hohe Transmission (T > 97 %), eine hohe Beschädigungsschwelle (> 500 W/cm2) und ein hohes Extinktionsverhältnis aufweisen (>1000:1).
    Anwendungen:
    • OEM-Lasersysteme
    • Medizinische/kosmetische Laser
    • Vielseitige F&E-Laserplattformen
    • Lasersysteme für Militär und Luft- und Raumfahrt

    Merkmale Vorteile
    CCI-Qualität – preiswert Außergewöhnlicher Wert

    Feinste spannungsfreie KD*P

    Hohes Kontrastverhältnis
    Hohe Schadensschwelle
    Niedrige Halbwellenspannung
    Platzsparend Ideal für Kompaktlaser
    Keramische Öffnungen Sauber und sehr widerstandsfähig gegen Beschädigungen
    Hohes Kontrastverhältnis Außergewöhnlicher Halt
    Schnelle elektrische Anschlüsse Effiziente/zuverlässige Installation
    Ultraflache Kristalle Hervorragende Strahlausbreitung
    1/4 Wellenspannung 3,3 kV
    Übertragener Wellenfrontfehler < 1/8 Welle
    IKR >2000:1
    Videorecorder >1500:1
    Kapazität 6 pF
    Schadensschwelle > 500 MW/cm2@ 1064 nm, 10 ns