EO Q Switch ändert den Polarisationszustand des Lichts, das durch ihn hindurchgeht, wenn eine angelegte Spannung Doppelbrechungsänderungen in einem elektrooptischen Kristall wie KD*P induziert.Bei Verwendung in Verbindung mit Polarisatoren können diese Zellen als optische Schalter oder Laser-Q-Switches fungieren.
Wir bieten EO-Q-Schalter basierend auf fortschrittlicher Kristallherstellungs- und Beschichtungstechnologie an. Wir können eine Vielzahl von EO-Q-Schaltern mit Laserwellenlängen anbieten, die eine hohe Transmission (T > 97 %), eine hohe Beschädigungsschwelle (> 500 W/cm2) und ein hohes Extinktionsverhältnis aufweisen (>1000:1).
Anwendungen:
• OEM-Lasersysteme
• Medizinische/kosmetische Laser
• Vielseitige F&E-Laserplattformen
• Lasersysteme für Militär und Luft- und Raumfahrt
Merkmale | Vorteile |
CCI-Qualität – preiswert | Außergewöhnlicher Wert |
Feinste spannungsfreie KD*P | Hohes Kontrastverhältnis |
Hohe Schadensschwelle | |
Niedrige Halbwellenspannung | |
Platzsparend | Ideal für Kompaktlaser |
Keramische Öffnungen | Sauber und sehr widerstandsfähig gegen Beschädigungen |
Hohes Kontrastverhältnis | Außergewöhnlicher Halt |
Schnelle elektrische Anschlüsse | Effiziente/zuverlässige Installation |
Ultraflache Kristalle | Hervorragende Strahlausbreitung |
1/4 Wellenspannung | 3,3 kV |
Übertragener Wellenfrontfehler | < 1/8 Welle |
IKR | >2000:1 |
Videorecorder | >1500:1 |
Kapazität | 6 pF |
Schadensschwelle | > 500 MW/cm2@ 1064 nm, 10 ns |