Der EO-Q-Schalter verändert den Polarisationszustand des durch ihn hindurchtretenden Lichts, wenn eine angelegte Spannung Doppelbrechungsänderungen in einem elektrooptischen Kristall wie KD*P hervorruft.In Verbindung mit Polarisatoren können diese Zellen als optische Schalter oder Laser-Güteschalter fungieren.
Wir bieten EO-Q-Schalter auf Basis fortschrittlicher Kristallherstellungs- und Beschichtungstechnologie an. Wir können EO-Q-Schalter mit einer Vielzahl von Laserwellenlängen anbieten, die eine hohe Transmission (T>97 %), eine hohe Schadensschwelle (>500 W/cm2) und ein hohes Extinktionsverhältnis aufweisen (>1000:1).
Anwendungen:
• OEM-Lasersysteme
• Medizinische/kosmetische Laser
• Vielseitige Laserplattformen für Forschung und Entwicklung
• Lasersysteme für Militär und Luft- und Raumfahrt
Merkmale | Vorteile |
CCI-Qualität – preiswert | Außergewöhnlicher Wert |
Feinstes, spannungsfreies KD*P | Hohes Kontrastverhältnis |
Hohe Schadensschwelle | |
Niedrige Halbwellenspannung | |
Platzsparend | Ideal für Kompaktlaser |
Keramische Öffnungen | Sauber und äußerst beschädigungsresistent |
Hohes Kontrastverhältnis | Außergewöhnliche Verzögerung |
Schnelle elektrische Anschlüsse | Effiziente/zuverlässige Installation |
Ultraflache Kristalle | Hervorragende Strahlausbreitung |
1/4 Wellenspannung | 3,3 kV |
Fehler der übertragenen Wellenfront | < 1/8 Welle |
ICR | >2000:1 |
Videorecorder | >1500:1 |
Kapazität | 6 pF |
Schadensschwelle | > 500 MW/cm2@1064nm, 10ns |